半导体行业的持续不断的发展是由一个根本原则驱动的：存储器。内存技术是数字时代背后的无名英雄，支撑着从智能手机的数据存储到超级计算机的效率的一切。随着对更快、更可靠、更节能的存储器的需求激增，新一波新兴的非易失性存储器技术有望重塑半导体工厂并增强我们的数字体验。半导体存储器的现状要了解新兴存储技术的重要性，了解其前辈至关重要。传统的半导体存储器分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器，如动态随机存取存储器 (DRAM)，可提供快速数据访问，但需要持续供电才能保留信息。非易失性存储器，例如 NAND 闪存，可以在没

  三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接续举行法说，释出对存储器产业看法，两大厂商均表示，PC、手机终端库存去化已告一段落、传统服务器需求依然疲弱，而AI服务器需求则较为强劲。业界的人表示，存储器原厂减产以求获利的决心不可以小看，在获利数字翻正前，应会持续减产策略，预期2024年上半年内存报价向上趋势不变。台系存储器相关厂商包括南亚科、华邦电、群联、威刚、创见、十铨、宇瞻等有望受惠。时序进入第四季，三星认为，市场复苏将加速，在旺季带动之下，市场DRAM、NAND Flash位出货量，可望分别

  近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，一同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展的新趋势。GD Flash的开拓之路：十四载达成212亿颗出货成就众所周知，Flash是一种非易失性的存储器，在断电和掉电的情况下，存储的内容不可能会发生丢失，是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存

  人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。存储大厂持续发力，三星将推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HB

  2023年已过去一大半，存储产业虽仍处于待复苏阶段，但历经原厂陆续减产后，业界期盼的暖风或许正在到来。从多家厂商最新营收来看，整体营收仍是下降趋势，但各厂商营收出现了环比增长的迹象，预示着需求正在慢慢升温。群联电子：9月营收月增25%存储器控制芯片商群联电子公布，其9月营收为50.04亿元新台币，月增25.38%，年增4.05%，重返50亿元新台币大关，创14个月新高。依据数据，群联电子第三季营收为123.88 亿元新台币，较第二季成长近24%，年减15%；2023年前三季累计营收324.74 亿元新台币

  每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链，识别跟踪各类物品。在大多数情况下，只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID，从而区分各个物品，并报告物品在系统中的位置和/或状态。那么，为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢？因为在某些情况下，特别是在供应链和工业物联网中（IoT），即使一点点额外的存储空间也会带来非常大的影响。除了产品和标签ID外，扩展存储器标签可以存储别的信息，有助于提升效率、提高自动化水平并降低经营成本。什么是扩展存储器标签？提供扩展存储器的RAIN RFI

  今日，三星电子宣布，已开始量产为车载信息娱乐系统（IVI）优化的全新车载UFS 3.1存储器解决方案。该解决方案拥有三星车载存储器最低的功耗，可助力汽车制造商为广大购买的人打造优秀的出行体验。为实现用户的不一样的需求，三星的UFS 3.1（通用闪存）将推出128、256和512千兆字节（GB）三种容量。在未来的汽车（电动汽车或无人驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池使用寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低了约33%，还提供了每秒700兆字节(MB/s)的顺序写入速度和2000MB/

  4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列新产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、

  由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史上最新的记录。其中，占三星营收比重最高的半导

  近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原本结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA

  信息社会离不开数据存储，金融、电信、互联网等，更需要高可靠、高安全的海量存储系统，存储器和存储系统是数据的载体，关乎数字化的经济产业安全、国家安全。在今年全国两会期间，全国人大代表、华中科技大学计算机学院教授冯丹提出了《关于加快国家存储器基地建设的建议》。冯丹认为，应加快数据存储产业强链补链，助力数字化的经济发展。“从战略格外的重视数据存力产业高水平质量的发展，将数据存力指标纳入国家体系，尽快形成我国数据存储产业高质量发展的顶层规划和具体目标，打造一批典型示范项目，加快先进存力的开发与应用。”冯丹建议，制定独立的存储产业强链补

  当地时间2月9日，晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，已收购瑞萨电子（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭、工业物联网及智能移动电子设备的一系列应用。格芯表示，这项交易逐步加强了格芯的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能

  SO-DIMM（Small Outline DIMM）因小巧尺寸设计，适合空间存在限制的系统，例如笔电、小型工业电脑、NAS、路由器等。根据外媒报导，JEDEC固态技术协会可能将戴尔和英特尔合作开发的CAMM（Compression Attached Memory Module）作为下一代标准，取代SO-DIMM。近日，国外媒体PCWorld引用戴尔资深工程师、JEDEC委员会成员Tom Schnell的说法表示，JEDEC固态技术协会考虑采用CAMM成为正式标准，并让其他制造商加以使用。Tom Sc

  什么是存储器 存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质，目前主要是采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [查看详细]

  MCU对EEPROM存储器的固定地址进行频繁写入操作，是否会影响其它单元的寿命？